SK海力士为抢占明年3D NAND市场 加快M14建厂速度

    据在华韩国企业招聘网了解，业界消息传出SK海力士在12月初启动利川M14厂的2楼无尘室设计作业，施工结束后就会立刻进行设备搬迁。通常无尘室工程结束后，从设备进驻到完成量产系统建构最少需要6个月，因此推算M14厂最快在2016年第3季可正式量产3D NAND Flash。

　　业界人士表示，目前M14厂在一楼生产20纳米DRAM，而二楼会在无尘室完工后进驻设备，并渐进式地开始生产36层与48层3D NAND Flash。第二代的36层3D NAND Flash产品会在12月底完成开发，计划在2016年初于韩国清州的M11、M12厂生产。

　　SK海力士在第3季财报电话会议中证实，市场接受第三代3D NAND Flash的速度相当快，因此分析必须扩产，正考虑在M14厂二楼设置生产线。

　　2015年10月三星电子成为第一家量产3D NAND Flash的业者，而竞争对手东芝(Toshiba)与美光(Micron)也将在2016年量产，让战局更为激烈。

　　值得一提的是，大陆业者间接购并新帝(SanDisk)，等于宣告跨足3D NAND Flash市场。英特尔(Intel)也以2016年量产3D NAND Flash为目标，正在转换位于大陆大连厂的生产线。3D NAND战局一触即发，SK海力士也因此受到刺激，开始加速准备量产。

　　朝鲜族人才网获悉，SK海力士拥有制造DRAM的顶尖技术与竞争力，但是在NAND Flash领域因技术与市占率竞争激烈，排名屈居下位。眼见大陆业者与英特尔相继投入战局，刺激SK海力士不得不加速巩固竞争力。

　　SK海力士目前旗下除了M14厂，所有生产线都是产能全开的状态。而市场专家认为，SK海力士为了发展新成长动能3D NAND Flash，还会有攻势更猛烈的投资计划上场。

　　市调机构DRAMeXchange的资料指出，以SK海力士第3季营收为基准，NAND Flash市占率为10.9%，排名第五。第一名的三星为31.5%，其次依序为东芝20.5%，新帝15.4%，美光13.8%。