三星电子量产全球首款20纳米服务器用DRAM

 三星电子10月20日宣布，三星已领先全球半导体业界率先成功量产20纳米8Gb DDR4服务器用DRAM。DRAM从DDR1发展到DDR2、DDR3再到DDR4，每进化一步数据处理速度就会变快2倍，电力效率随之提高10~30%。 

      继电脑和移动设备20纳米DRAM之后，三星电子又成功量产全球首款服务器用20纳米DRAM，构建起了一套完整的20纳米DRAM体系。

      20纳米是指在DRAM半导体芯片内适用微细工艺，使线路间距只有20纳米（nm，十亿分之一米，相当于发丝直径的十万分之一）。 
        继电脑和移动设备之后，三星又成功将20纳米工程适用到服务器DRAM上，再次展示了三星在半导体领域领先世界的技术能力。三星电子今年3月量产全球首款20纳米电脑用DRAM，9月又成功量产用于智能手机和平板电脑等移动设备的20纳米DRAM。 
      三星的20纳米DDR4服务器用DRAM性能比原来的DDR3基础模块快30%左右，驱动电压也只有1.2伏特（V），仅相当于DDR3（1.5V）的80%。三星电子储存体事业部的白智浩（音）常务表示“20纳米8Gb DDR4 DRAM满足构建新一代服务器系统所必须的‘高性能、高容量、低耗电’三个要素”。