三星电子在美国发布全球最新一代64层V-NAND

     中韩人力网-韩企资讯：三星电子在美国加州圣克拉拉举办的闪充峰会上公开了新一代V-NAND。
     中韩人力网获悉，此次公开的第四代V-NAND（立体堆叠3D闪存）实现了64层晶粒（DIE）堆叠，存储密度再次突破新高。在此基础上三星电子增强了3D内存技术领导力，并公开了主导超高容量的TERA时代的中长期战略。 
      新一代立体堆叠的V-NAND芯片可实现单独晶粒（DIE）512Gb (64GB)的存储容量，单独晶粒数据传输速度可达100MB/S，三星预计在今年第4季度试产基于新技术的存储产品。 
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